品质保证-广东致能科技有限公司

品质保证

质量方针质量体系产品可靠性

质量方针

致能始终致力于将GaN做成主要的功率半导体

致能始终致力于将GaN做成主要的功率半导体

我们坚持以服务客户为导向，持续改进产品和过程质量，向客户交付高可靠的GaN功率器件。

我们追求高质量发展，不以牺牲安全和环境为代价，坚持事前预防的思想，确保相关方的职业健康和生命财产安全，注重生态环境保护和可持续发展，确保公司安全、稳定和持续营运。

质量体系

致能拥有完善的质量管理体系

蓝色科技新生态创新生态大会全屏海报(1)

通过ISO 9001:2015
认证的管理体系

产品可靠性

致能拥有完善的器件可靠性测试能力

序号	试验项目	试验条件	数量	判定
1	MSL3	1.125℃@24Hrs; 2.30℃ 60%RH@192Hrs(or 60℃ 60%RH@40Hrs)； 3.260℃@3 times	3x77ea	0失效&符合分层要求
2	温度循环（TC）	-55℃ to 150℃@500cycle	3x77ea	0失效
3	间歇寿命试验（IOL）	△Tj≥100℃, ton/toff=2min @15000Cycles	3x77ea	0失效
4	无偏高速老化试验（uHAST）	130℃ 85%RH@96 Hrs	3x77ea	0失效
5	高速老化试验（HAST）	130℃85%RH, Vds=100V@96Hrs	3x77ea	0失效
6	高温高湿稳态寿命试验（H3TRB）	85℃85%RH, Vds=80% x ratedVds@1000Hrs	3x77ea	0失效
7	可焊性测试（Solderability）	Steam aging 93C@8h Test temperature: 245 +/- 5℃	3x10ea	≥95% solder coating
8	高温反偏（HTRB）	Cascode: 150℃, Vds=80% x ratedVds@1000Hrs	3x77ea	0失效
9	高温门闸反偏（HTGB）	Cascode: 150℃, Vgs=+20V@1000Hrs	3x77ea	0失效
10	高温门闸反偏（HTGB）	HEMT: 150℃ Vgs= -35V & Vds=0 @1000Hrs	3x77ea	0失效
11	高温贮存寿命（HTSL）	150℃ @1000 Hrs	3x77ea	0失效
12	低温贮存寿命（LTSL）	-55℃ @1000Hr	3x77e	0失效
13	ESD-HBM	按照产品要求	1x3ea	0失效
14	ESD-CDM	按照产品要求	1x3ea	0失效
15	开关加速寿命试验（SALT）	Boost: Tc=120℃,Vds=500V,f=20KHz,Duty=1%@168H	1x10ea	0失效&dRdson符合要求
16	动态高温工作寿命试验（DHTOL）	根据产品应用场景调整测试条件如Full-bridge: DCM,Tc=120℃,Vds=600V,f=100KHZ,Duty=10%@1000H	1x40ea	0失效