致能开发了专为高压（650V）器件的6/8英寸GaN外延缓冲技术。优化的高压缓冲设计可提供低漏电流、高击穿电压、低缓冲层色散以及低翘曲的外延性能。
致能科技可以支持各种各样的帽层和势垒层组合，以适应特定的需求或应用，包括钝化或GaN帽层的标准d-mode HEMT结构，以及带有p-GaN帽层的标准E-mode结构，可实现出色的器件性能和可靠性。
高均匀性、高产量、廉价的衬底和简单的外延工艺的优势将推动降低成本，使GaN HEMTs能够应用于更广泛的领域。
