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氮化镓器件 GaN Wafer 氮化镓晶圆 GaN EPI 氮化镓外延
封装类型
致能科技具备系列化的高性能、高可靠性的氮化镓器件产品，耐压规格从650V到1200V，电阻规格从35mΩ到1000mΩ满足广泛的市场应用需求。
2
GaN EPI 氮化镓外延
1
氮化镓晶圆
TO247
TO247
TO252
TOLL
TOLL
PQFN56
TO220
TO220
PQFN56
TO252
TO22OF
TO220F
a22
DFN8*8
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致能科技具备系列化的高性能、高可靠性的氮化镓器件产品，耐压规格从650V到1200V，电阻规格从35mΩ到1000mΩ满足广泛的市场应用需求。
筛选条件：
市场合作
致能科技具备系列化的高性能、高可靠性的氮化镓器件产品，耐压规格从650V到1200V，电阻规格从35mΩ到1000mΩ满足广泛的市场应用需求。
电话
+86 18129971232(高)
邮箱
gaofei@zienertech.com
地址
深圳市南山区高新南九道北航大厦2号楼1102