GaN级联结构，兼具Si MOS器件易于驱动（与传统Si器件驱动兼容度高）、栅压驱动范围宽（±20V）、栅极可靠性高等优势和GaN器件高耐压、低导通电阻、高开关速度等优势。
Si MOS器件的集成，使得级联器件具有较低的反向导通压降，在应用中，反向导通损耗优势明显。
Dmode-GaN器件基于致能高质量的外延和器件结构设计，器件具有高耐压，高可靠性和低动态电阻等优点。
